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產(chǎn)品

真空鍍膜系統(tǒng)

產(chǎn)業(yè)應(yīng)用鍍膜系統(tǒng)

直線式勞埃透鏡鍍制機(jī)

直線式勞埃透鏡鍍制機(jī)，是為高能同步輻射光源（HEPS）研發(fā)的高端儀器裝備，用于制備硬X射線納米聚焦的勞埃透鏡膜層。最主要的特點(diǎn)是膜層層數(shù)多（數(shù)千層甚至更多）且膜層位置和厚度精度高（總位置平均誤差小于±5nm，每層的厚度誤差小于0.1nm）。為了保證每個(gè)膜層的厚度精度，采用磁控濺射技術(shù)來實(shí)現(xiàn)膜片的制備，其優(yōu)點(diǎn)是，能夠精確控制膜層厚度，重復(fù)性好，薄膜與基片結(jié)合緊密，薄膜純度高、致密性好。

倍增級磁控鍍膜機(jī)

倍增級磁控鍍膜機(jī)主要應(yīng)用于光電倍增管倍增級表面的銻膜鍍制。在膜層制備過程中可實(shí)現(xiàn)對光電倍增管的倍增級基底進(jìn)行烘烤除氣、離子轟擊清潔、膜層沉積和偏電壓輔助、膜厚工藝測試等功能，可進(jìn)行數(shù)字化編程、程序控制和動(dòng)態(tài)監(jiān)測，能夠?qū)崟r(shí)顯示、記錄、統(tǒng)計(jì)、計(jì)算、保存、輸出各種運(yùn)行數(shù)據(jù)，達(dá)到精確控制膜厚和沉積均勻性的要求。

MPO專用遮光膜鍍膜設(shè)備

該設(shè)備為高真空電子束蒸鍍設(shè)備，即利用高能量密度的電子束轟擊被鍍材料，使其氣化并沉積在基片表面；此設(shè)備為在石英或其它材料表面沉積鎳鉻合金或其它單金屬、合金；設(shè)備由立式前開門水冷真空室、真空系統(tǒng)、工裝系統(tǒng)、電子束沉積系統(tǒng)、離子轟擊系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、測量及監(jiān)控系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、輔助系統(tǒng)（機(jī)架、工藝氣路、壓空氣路、冷卻水路、附件）等組成。

顯示器面板行業(yè)—ITO/金屬電極研發(fā)中試線

該設(shè)備為高真空ITO箱式鍍膜設(shè)備，主要用于沉積AZO、GZO等系列透明導(dǎo)電膜，金屬薄膜，半導(dǎo)體薄膜等，也可用于其他功能性薄膜的沉積。

中高溫集熱管鍍膜生產(chǎn)線

Φ70x4060集熱管鍍膜生產(chǎn)線，產(chǎn)線主體Φ1500x6000水冷真空腔室4段，依次為預(yù)處理室、工藝1室、工藝2室和出樣室；產(chǎn)線配移動(dòng)式公自轉(zhuǎn)工裝架及工裝架閉環(huán)輸送系統(tǒng)，工裝架裝載量20只（Φ70）；工裝架閉環(huán)輸送系統(tǒng)由橫移車及直線輸送線組成，在閉環(huán)輸送系統(tǒng)中工裝架自動(dòng)運(yùn)行。預(yù)處理室、工藝1室?guī)Ъ訜幔訜釡囟?00℃。工藝1室配2只圓柱靶或內(nèi)裝平面靶，接直流電源用于沉積底層金屬，工藝2室配2對孿生靶接中頻電源；沉積AL、Ti、Si等構(gòu)成的多層陶瓷本征吸收層；系統(tǒng)除裝卸件外，均自動(dòng)運(yùn)行，自動(dòng)化程度較高，滿足光干涉膜、金屬陶瓷膜等選擇性吸熱膜的批生產(chǎn)需要。

臥式單體中高溫集熱管鍍膜設(shè)備

該設(shè)備為Φ1200x6000水冷真空腔室，配移動(dòng)式公自轉(zhuǎn)工裝架，工裝架裝載量10-20只，公自轉(zhuǎn)工裝架點(diǎn)對點(diǎn)自動(dòng)運(yùn)行；設(shè)備帶偏壓清洗及輔助沉積功能，工藝加熱溫度300℃；設(shè)備配5只圓柱靶或內(nèi)裝平面靶；可鍍Au、Ag、AL、Mo、Cu、Ti等多種底層金屬，及由AL、Ti、Si等構(gòu)成的多層陶瓷膜；系統(tǒng)滿足光干涉膜、金屬陶瓷膜等多種選擇性吸熱膜的研制和小批生產(chǎn)。

立式中高溫集熱管鍍膜設(shè)備

中科科美提供中高溫集熱管鍍膜整體解決方案。

　　該設(shè)備為太陽能光熱產(chǎn)業(yè)提供高溫集熱管真空涂層，可在不銹鋼管上沉積選擇性吸收膜，保證其有較高的吸收率和極低的發(fā)射率。

多工位真空鍍膜及封接檢測設(shè)備

設(shè)備可完成光電倍增管高溫真空除氣、陰極激活、陰極轉(zhuǎn)移、MCP清刷、銦封等多道關(guān)鍵制備工序，是多種運(yùn)動(dòng)方式同時(shí)存在的復(fù)雜系統(tǒng)。主要應(yīng)用于中微子探測試驗(yàn)、高能物理探測和單光子探測領(lǐng)域。